[发明专利]一种提高晶圆间键合强度的方法有效
| 申请号： | 201410103977.6 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104925748B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成;刘尧;张先明;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高晶圆间键合强度的方法，包括提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述支撑晶圆上形成对准标记；在所述支撑晶圆表面上形成等离子沉积氧化硅层；执行化学机械抛光平坦化步骤；执行热氧化步骤，以在所述支撑晶圆表面形成氧化硅层；执行氧化硅融合键合步骤。根据本发明的制造工艺，能有效避免定位标识的损伤以及支撑晶圆上对准标记内填充空穴的产生，实现等离子沉积氧化硅层与热氧氧化氧化硅层的键合，可显著提高键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶圆间键合 强度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆；在所述支撑晶圆上形成对准标记；在所述支撑晶圆表面上形成等离子沉积氧化硅层；执行化学机械抛光平坦化步骤，直到暴露出所述支撑晶圆的表面为止；执行热氧化步骤，以在所述支撑晶圆表面形成热氧氧化氧化硅层；执行氧化硅融合键合步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410103977.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：真空开关管用陶瓷上釉工艺
- 下一篇：一种反射隔热陶瓷釉面砖的制备方法
