[发明专利]一种提高晶圆间键合强度的方法有效
| 申请号： | 201410103977.6 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104925748B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成;刘尧;张先明;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶圆间键合 强度 方法 | ||
1.一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：
提供器件晶圆和支撑晶圆；
在所述支撑晶圆上形成对准标记；
在所述支撑晶圆表面上形成等离子沉积氧化硅层；
执行化学机械抛光平坦化步骤，直到暴露出所述支撑晶圆的表面为止；
执行热氧化步骤，以在所述支撑晶圆表面形成热氧氧化氧化硅层；
执行氧化硅融合键合步骤。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子沉积氧化硅层厚度为
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热氧氧化氧化硅层厚度为
4.一种提高晶圆间键合强度的方法，包括：
提供器件晶圆和支撑晶圆；
在所述支撑晶圆上形成对准标记；
在所述支撑晶圆表面依次形成热氧氧化氧化硅层和等离子沉积氧化硅层；
执行化学机械抛光平坦化步骤，直到暴露出所述热氧氧化氧化硅层为止；
执行氧化硅融合键合步骤。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述热氧氧化氧化硅层厚度为
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子沉积氧化硅层厚度为
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在执行所述氧化硅融合键合步骤后还包括退火处理的步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述退火处理温度为200～500℃，退火时间为1～3h。
9.如权利要求1或者4所述的方法，其特征在于，所述氧化硅融合键合步骤的参数为：施加的键合压力为1～10N，键合时间为10～60s，温度为10～50℃。
10.如权利要求1或者4所述的方法，其特征在于，在执行所述氧化硅融合键合工艺之前还包括依次执行等离子活化和湿法清洗及旋干的步骤。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述等离子活化步骤采用氮气为气体源，功率为100～600W，活化时间为10～60s。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗及旋干步骤采用去离子水清洗，所述旋干步骤转速为1000～3500rpm，时间为1～5min。
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