[发明专利]一种利用碳离子注入吸杂的方法

摘要

本发明涉及一种利用碳离子注入吸杂的方法。包括以下步骤：采用离子注入工艺通过硅片背面裸露层或者硅片背面二氧化硅层注入高能量碳离子，并在硅片的注入层中形成晶体缺陷区；进行退火过程，使晶体缺陷区转变为吸杂区，并捕获所述硅片中的金属离子形成去杂区；采用化学机械研磨方法去除所述去杂区。本发明的离子注入吸杂工艺和光电二极管的制造过程兼容性高，可以很容易的加入到现有技术中，且碳离子注入对器件性能没有副作用，离子注入吸杂过程也不容易污染器件；同时通过对离子注入吸杂的工艺参数进行优化和控制，金属离子吸杂效果好，吸杂后的光电二极管性能有了明显好转，暗电流和白像素明显降低，提高CMOS传感器的成像效果。

主权项

一种利用碳离子注入吸杂的方法，包括以下步骤：步骤一，在光电二极管发射结形成前，采用离子注入工艺通过硅片背面裸露层或者硅片背面二氧化硅层注入高能量碳离子，并在硅片的注入层中形成晶体缺陷区；步骤二，在氮气或氩气的保护中进行退火，使晶体缺陷区转变为吸杂区，并捕获所述硅片中的金属离子形成去杂区；步骤三，采用化学机械研磨方法去除所述去杂区。