[发明专利]一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法

摘要

本发明涉及一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法。采用的技术方案是：将Ⅰ族元素的一价金属盐、Ⅲ族元素的三价氯化盐、盖帽剂、表面包覆剂和非极性高沸点溶剂混合得到混合前体溶液，在惰性气体保护下，将混合前体溶液从室温加热至60～180℃，形成澄清透明溶液；加入Ⅵ族元素的油胺溶液得到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶溶液，加入极性溶剂，离心纯化；然后加入LED灌封胶的A组分和B组分得到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜。本发明制备过程绿色环保，制备方法简单，制得的半导体纳米晶发光薄膜兼具量子点优异的荧光性能及环氧树脂AB胶衬底良好的机械加工性能，可应用于固态照明LED。

主权项

一种Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将Ⅰ族元素的一价金属盐、Ⅲ族元素的三价氯化盐和盖帽剂、表面包覆剂加入到装有非极性高沸点有机溶剂的反应容器中得到混合前体溶液，通入氮气或惰性气体排除反应容器中的空气，搅拌下将混合前体溶液从室温加热至60～180℃，直至形成澄清透明溶液；所述的混合前体溶液中，Ⅰ族元素阳离子Ⅰ⁺浓度为0.002～0.02M，表面包覆剂浓度为0.02～0.075M，盖帽剂浓度为0.1～0.5M，Ⅰ族元素阳离子Ⅰ⁺、Ⅲ族元素阳离子Ⅲ³⁺的投料摩尔比为1:1～10；（2）将Ⅵ族元素的油胺溶液加入到步骤（1）获得的澄清透明溶液中，使Ⅵ族元素与Ⅰ⁺的投料摩尔比为4～40:1，调整温度至110～160℃，维持该温度，使反应进行1～120min，制备得到Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族三元半导体纳米晶溶液；（3）将Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族三元半导体纳米晶溶液自然冷却至室温，加入极性溶剂，离心纯化得到Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族三元半导体纳米晶；（4）将制得的Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族三元半导体纳米晶与LED灌封胶的A组分混合，68～90℃下加热0.5～1h，得到混合物；（5）将LED灌封胶的B组分与步骤(4)中得到的混合物均匀混合，得到混合液相并离心去除气泡，再将干净平整的载具浸入混合液相中，以15‑40mm/h的速度缓慢提拉成膜，并将薄膜与载具在50℃条件下烘干固化1～4h，得到Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜。