[发明专利]形成导电铜结构的阻障层的方法无效
| 申请号： | 201410098150.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104051335A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | B·辛茨;F·科琴斯基 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文涉及形成导电铜结构的阻障层的方法，所揭露的一种例示性方法包括：在绝缘材料层中形成凹槽/贯孔；在至少该凹槽/贯孔中形成阻障层；于形成该阻障层之后，进行至少一项制程作业以将锰引进该阻障层中并且借此界定含锰阻障层；在该含锰阻障层之上形成实质纯铜基晶种层；在该铜基晶种层之上沉积主体铜基材料以便过量填充(overfill)凹槽/贯孔；以及移除位于该凹槽/贯孔外侧的过剩材料借此界定铜基导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 导电 结构 阻障 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：在绝缘材料层中形成凹槽/贯孔；在至少该凹槽/贯孔中形成阻障层；在形成该阻障层后，进行至少一道制程作业，以将锰引进该阻障层中，并借此界定含锰阻障层；在该含锰阻障层之上形成实质纯铜基晶种层；在该实质纯铜基晶种层之上沉积主体铜基材料，以便过量填充该凹槽/贯孔；以及移除位于该凹槽/贯孔外侧的过剩材料，以借此界定铜基导电结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410098150.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无排放自吸式纯水机
- 下一篇：一种牛蛙保肝剂、制备方法及其用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
