[发明专利]具有插入层的磁性结和使用该磁性结的磁存储器有效
| 申请号： | 201410096320.1 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051610B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·切普奥斯凯;唐学体;德米托·阿帕利科夫;阿列克谢·瓦西里耶维奇·赫瓦尔科夫斯克维;弗拉迪米尔·尼基廷;穆罕默德·汤菲克·克劳恩彼 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/12;H01L43/14;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了用于提供在磁性器件中可使用的磁性结的方法和系统。磁性结包括基准层、非磁间隔层、和自由层，所述非磁间隔层在所述基准层和所述自由层之间。所述磁性结被配置为使得当写入电流流经所述磁性结时所述自由层在多个稳定的磁状态之间可切换。所述磁性结的部分包括至少一个磁性子结构。所述磁性子结构包括至少一个Fe层和至少一个非磁插入层。所述至少一个Fe层与所述至少一个非磁插入层共享至少一个界面。所述至少一个非磁插入层的每个非磁插入层由W、I、Hf、Bi、Zn、Mo、Ag、Cd、Os和In中的至少一种组成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 插入 磁性 使用 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种在磁性器件中使用的磁性结，包括:基准层；非磁间隔层；和自由层，所述非磁间隔层位于所述基准层和所述自由层之间，所述磁性结被配置为使得当写入电流流经所述磁性结时所述自由层在多个稳定的磁状态之间可切换，其中所述磁性结的一部分包括至少一个磁性子结构，所述磁性子结构包括至少一个Fe层和至少一个非磁插入层，所述至少一个Fe层与所述至少一个非磁插入层共享至少一个界面，所述至少一个非磁插入层中的每个非磁插入层由I、Hf、Bi、Zn、Mo、Ag、Cd、Os和In中的至少一种组成，从而提供用于切换所述自由层的磁矩的自旋轨道矩。
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