[发明专利]用于制造电气碳化硅器件的碳化硅基板的方法

摘要

一种用于制造电气碳化硅器件的碳化硅基板的方法包括提供包括硅面和碳面的碳化硅分配器晶片；在所述硅面上沉积碳化硅外延层。此外，该方法包括在所述外延层中利用预定义能量特性植入离子以形成植入区，以便在所述外延层中以对应于待制造的碳化硅基板的外延层的指定厚度的平均深度植入离子。此外，该方法包括将受体晶片结合到所述外延层上，以便所述外延层布置在分配器晶片和所述受体晶片之间。此外，沿着所述植入区划分所述外延层，以便获得由受体晶片与具有指定厚度的外延层表示的碳化硅基板。

主权项

一种用于制造电气碳化硅器件的碳化硅基板的方法，所述方法包括：提供包括硅面和碳面的碳化硅分配器晶片；在分配器晶片的所述硅面上沉积碳化硅外延层，所述碳化硅外延层包括背向分配器晶片的硅面；在所述碳化硅外延层的硅面中植入指定的掺杂物分布，其中，在受体晶片被结合到所述碳化硅外延层之前所述指定的掺杂物分布被植入；在所述碳化硅外延层中利用预定义能量特性植入离子以形成植入区，其中，在所述碳化硅外延层中以对应于正在制造的碳化硅基板的外延层的指定厚度的平均深度来植入离子；将所述受体晶片结合到有植入的碳化硅外延层的所述硅面上，以便所述碳化硅外延层布置在分配器晶片和所述受体晶片之间；以及沿着所述植入区划分所述碳化硅外延层，以便获得由受体晶片与具有指定厚度的所述外延层表示的碳化硅基板；其中，划分所述碳化硅外延层，以便具有所述指定厚度的所述碳化硅基板的外延层具有与硅面相对的碳面，所述受体晶片被结合到所述硅面上，其中，具有所述指定厚度的所述碳化硅外延层的所述碳面适合于碳化硅器件制造，其中所述指定的掺杂物分布被设置在具有所述指定厚度的所述碳化硅外延层的与适合于碳化硅器件制造的所述碳面相对的面处。