[发明专利]一种Cu2O/ZnO异质结材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种Cu₂O/ZnO异质结材料的制备方法，先以电化学法在导电基底上沉积Cu₂O薄膜，再以脉冲激光沉积法或磁控溅射沉积法在Cu₂O薄膜上沉积ZnO薄膜，在保护气氛中退火处理后，得到了Cu₂O/ZnO异质结材料。本发明通过电化学沉积法在导电基底上沉积得到具有起伏丘陵状的Cu₂O薄膜，增大了Cu₂O/ZnO异质结材料的面积，提高了对光能的利用率；再以脉冲激光沉积法或磁控溅射沉积法生长ZnO薄膜，ZnO薄膜致密地包覆了Cu₂O薄膜，起到了保护层的作用，使Cu₂O与外界环境完全隔绝，提高了Cu₂O/ZnO异质结材料的化学稳定性，从而延长了该材料的寿命。

主权项

一种Cu₂O/ZnO异质结材料的制备方法，包括：（1）导电基底预处理：将导电基底表面清洗洁净、晾干；（2）电解液配制：配制含CuSO₄、乳酸的水溶液，调整pH值至8～11，搅拌均匀，得到电解液；（3）Cu₂O薄膜沉积：将配制好的电解液倒入电解池中，以所述导电基底为工作电极，组成标准三电极体系；加热电解池，保持温度恒定，对工作电极加以一定电位，在电极表面沉积Cu₂O薄膜，得到衬底；（4）ZnO薄膜生长：采用磁控溅射沉积法或脉冲激光沉积法，以ZnO为靶材，在所述衬底上生长ZnO薄膜，得到双层膜异质结；（5）退火处理：将所述双层膜异质结置于保护气氛中，进行退火处理，得到Cu₂O/ZnO异质结材料。