[发明专利]低泄漏整流器结构

摘要

集成电路器件包括第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、位于第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方的栅极电介质以及位于栅极电介质上方的栅电极。阳电极和阴电极形成在栅电极的相对两侧上。阳电极电连接至栅电极。阳电极、阴电极和栅电极形成整流器的部分。

主权项

一种集成电路器件，包括：第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层；第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层，位于所述第一Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方；栅极电介质，位于所述第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方；栅电极，位于所述栅极电介质上方；以及阳电极和阴电极，位于所述栅电极的相对两侧上，其中，所述阳电极电连接至所述栅电极，并且所述阳电极、所述阴电极和所述栅电极形成整流器的部分，其中，介电钝化层，位于所述第二Ⅲ‑Ⅴ族化合物层以及所述阳电极和所述阴电极上方并且位于所述栅极电介质下方，其中，所述栅电极延伸至所述介电钝化层内。