[发明专利]具有非磁性种子层的装置及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410088312.2 申请日: 2014-03-11
公开(公告)号: CN104050977B 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 田伟;V·R·印图瑞;D·林;H·殷;邱教明 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/23 分类号: G11B5/23
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张东梅
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 根据一个实施例,可配置一种装置,该装置包括:磁性材料的主极层;第二磁性材料层;设置在主极层和第二磁性材料层之间的第一非磁性材料间隙层;设置在主极层和第二磁性材料层之间的第二非磁性材料间隙层,其中第二非磁性材料间隙层直接毗邻第二磁性材料层设置。根据一个实施例,这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例,这允许该间隙充当第二磁性材料层的非磁性种子。根据一个实施例,也可利用制造该设备的方法。
搜索关键词: 磁性材料层 非磁性材料 非磁性 间隙层 主极层 磁性材料 可配置 种子层 毗邻 制造
【主权项】:
一种具有空气承载表面的装置,包括:具有斜切边的磁性材料主极层;第二磁性材料层;设置在所述主极层和所述第二磁性材料层之间的写间隙,所述写间隙不垂直于所述空气承载表面并包括:设置在所述磁性材料主极层上的第一非磁性材料间隙层,第一非磁性材料间隙层设置成毗邻所述磁性材料主极层;设置成直接毗邻于所述第二磁性材料层的第二非磁性材料间隙层;以及设置在所述第一非磁性材料间隙层以及所述第二非磁性材料间隙层之间的第三非磁性材料间隙层其中所述第一非磁性材料间隙层包括钌;其中所述第三非磁性材料间隙层Al2O3层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希捷科技有限公司,未经希捷科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410088312.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top