[发明专利]具有非磁性种子层的装置及其形成方法

权利要求书

1.一种具有空气承载表面的装置，包括：

具有斜切边的磁性材料主极层；

第二磁性材料层；

设置在所述主极层和所述第二磁性材料层之间的写间隙，所述写间隙不垂直于所述空气承载表面并包括：

设置在所述磁性材料主极层上的第一非磁性材料间隙层，第一非磁性材料间隙层设置成毗邻所述磁性材料主极层；

设置成直接毗邻于所述第二磁性材料层的第二非磁性材料间隙层；以及

设置在所述第一非磁性材料间隙层以及所述第二非磁性材料间隙层之间的第三非磁性材料间隙层

其中所述第一非磁性材料间隙层包括钌；

其中所述第三非磁性材料间隙层Al₂O₃层。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二非磁性材料间隙层是钌、NiRu、NiCr、Cu、或者Fe、Ni和Co合金的高磁矩材料。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二非磁性材料间隙层的厚度在1-10nm的范围内。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述写间隙的第一侧上的磁矩和所述写间隙的第二侧上的磁矩是相等的。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二磁性材料层形成前屏蔽。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二非磁性材料间隙层充当所述第二磁性材料层的种子层。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二磁性材料层包括FeCo。

8.一种形成非磁性种子层的方法，包括：

沉积磁性材料的主极层；

在所述主极层上提供斜切边；

在具有斜切边的主极层上沉积第一非磁性材料间隙层，所述第一非磁性材料间隙层被设置成直接毗邻所述磁性材料的主极层；

沉积第二非磁性材料间隙层；

沉积第三非磁性材料间隙层；

直接毗邻所述第三非磁性材料间隙层地沉积第二磁性材料层，以使所述第一非磁性材料间隙层、第二非磁性材料间隙层、第三非磁性材料间隙层位于所述磁性材料的主极层和所述第二磁性材料层之间，

其中所述第一非磁性材料间隙层包括钌；

其中所述第二非磁性材料间隙层Al₂O₃层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三非磁性材料间隙层是钌、NiRu、NiCr、Cu、或者Fe、Ni和Co合金的的高磁矩材料。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三非磁性材料间隙层的厚度在1-10nm的范围内。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

在写间隙的第一侧上形成第一磁矩并在写间隙的第二侧上形成第二磁矩，其中所述第一磁矩和所述第二磁矩是相等的。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

从所述第二磁性材料层形成前屏蔽。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

利用所述第三非磁性材料间隙层作为所述第二磁性材料层的种子层。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

利用FeCo作为所述第二磁性材料层。