[发明专利]栅极绝缘膜、感放射线性组合物、硬化膜、半导体元件、半导体元件的制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 201410087908.0 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104049464B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 一戸大吾;滨田谦一 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/075 | 分类号： | G03F7/075;H01L21/312;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种介电特性得到控制的栅极绝缘膜、所述栅极绝缘膜形成用的感放射线性组合物、硬化膜与半导体元件及半导体元件的制造方法、以及具有所述半导体元件的显示装置。作为半导体元件的TFT3具有半导体层6、栅极电极4及栅极绝缘膜5。栅极绝缘膜5包含硬化膜，所述硬化膜是使用含有以下成分的组合物而形成：[A]水解缩合物，[B]作为含有选自由铝、锆、钛、锌、铟、锡、锑、钡及铈所组成的组群中的至少一种金属的氧化物的金属氧化物粒子，以及[C]感放射线性酸产生剂或感放射线性碱产生剂。将TFT3作为开关元件而用于构成显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 绝缘 放射 线性 组合 硬化 半导体 元件 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种栅极绝缘膜，其是配置在具有半导体层及栅极电极的半导体元件的所述半导体层与所述栅极电极之间，且所述栅极绝缘膜的特征在于：使用含有以下成分的组合物而形成：[A]含有选自由硅、铝、锆、钛、锌及锡所组成的组群中的至少一种元素的水解性化合物的水解缩合物；以及[B]作为含有选自由铝、锆、钛、锌、铟、锡、锑、钡及铈所组成的组群中的至少一种金属的氧化物的金属氧化物粒子。
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