[发明专利]栅极绝缘膜、感放射线性组合物、硬化膜、半导体元件、半导体元件的制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种栅极绝缘膜，其是配置在具有由In-Ga-Zn氧化物所形成的半导体层及栅极电极的半导体元件的所述半导体层与所述栅极电极之间，且所述栅极绝缘膜的特征在于：使用含有以下成分的组合物而形成：

[A]含有选自由硅、铝、锆、钛、锌及锡所组成的组群中的至少一种元素的水解性化合物的水解缩合物；

[B]作为含有选自由铝、锆、钛、锌、铟、锡、锑、钡及铈所组成的组群中的至少一种金属的氧化物的金属氧化物粒子；以及

[C]选自感放射线性酸产生剂或感放射线性碱产生剂中的至少一种，

相对于所述[A]水解缩合物100质量份，所述[B]金属氧化物粒子的调配量为0.1质量份～50质量份，

所述[A]水解缩合物的数量平均分子量为500～10000，

所述[A]水解缩合物含有下述式(2)及下述式(3)所表示的键；

-Si-X¹- (2)

式中，X¹为氧、氮或碳；

-M-X²- (3)

式中，M为铝、锆、钛、锌或锡；X²为氧、氮或碳。

2.一种感放射线性组合物，其特征在于含有：

[A]含有选自由硅、铝、锆、钛、锌及锡所组成的组群中的至少一种元素的水解性化合物的水解缩合物；

[B]作为含有选自由铝、锆、钛、锌、铟、锡、锑、钡及铈所组成的组群中的至少一种金属的氧化物的金属氧化物粒子；以及

[C]感放射线性酸产生剂或感放射线性碱产生剂；并且

所述感放射线性组合物是用来形成具有由In-Ga-Zn氧化物所形成的半导体层、栅极电极及栅极绝缘膜的半导体元件的所述栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜是配置在所述半导体层与所述栅极电极之间，

相对于所述[A]水解缩合物100质量份，所述[B]金属氧化物粒子的调配量为0.1质量份～50质量份，

所述[A]水解缩合物的数量平均分子量为500～10000，

所述[A]水解缩合物含有下述式(2)及下述式(3)所表示的键；

-Si-X¹- (2)

式中，X¹为氧、氮或碳；

-M-X²- (3)

式中，M为铝、锆、钛、锌或锡；X²为氧、氮或碳。

3.一种硬化膜，其是使用根据权利要求2所述的感放射线性组合物而形成，且所述硬化膜的特征在于：

用于具有由In-Ga-Zn氧化物所形成的半导体层、栅极电极及栅极绝缘膜的半导体元件的所述栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜是配置在所述半导体层与所述栅极电极之间。

4.一种半导体元件，其特征在于：在基板上依次配置着栅极电极、根据权利要求1所述的栅极绝缘膜及由In-Ga-Zn氧化物所形成的半导体层，而具有底部栅极结构。

5.一种半导体元件的制造方法，其特征在于：在基板上依次设置栅极电极、根据权利要求1所述的栅极绝缘膜及由In-Ga-Zn氧化物所形成的半导体层。

6.一种显示装置，其特征在于具有根据权利要求4所述的半导体元件。