[发明专利]图像传感器

摘要

本发明涉及一种图像传感器，其包括：光电二极管，通过在第一导电类型半导体衬底内形成第二导电类型区域而形成；第一导电类型隔离层，形成于所述半导体衬底的内部，位于所述光电二极管区域的上部；第一掺杂区域，为第二导电类型，形成于所述半导体衬底的内部、接触位于第一导电类型隔离层上部；第二重掺杂区域，为第二导电类型，形成于所述第一导电类型半导体衬底的内部、接触位于第一掺杂区域的侧部；第一电极部，形成于所述第一导电类型半导体衬底的表面，并接触于所述第二重掺杂区域；传输管的栅极区域，形成于所述第一导电类型半导体衬底的上表面；浮置扩散区域，为第二导电类型重掺杂，接触于所述栅极区域形成于所述第一导电类型半导体衬底内部。

主权项

一种图像传感器，包括:光电二极管，其通过在第一导电类型半导体衬底内形成第二导电类型区域，从而形成光电二极管，其中，所述第二导电类型区域作为光生载流子收集区；第一导电类型隔离层，其形成于所述第一导电类型半导体衬底的内部，并且位于光电二极管区域的上部；第一掺杂区域，其具有第二导电类型，形成于所述第一导电类型半导体衬底的内部，并且接触位于第一导电类型隔离层上部；第二重掺杂区域，其具有第二导电类型，形成于所述第一导电类型半导体衬底的内部，并且接触位于第一掺杂区域的侧部；第一电极部，其形成于所述第一导电类型半导体衬底的表面，并接触于所述第二重掺杂区域；传输管的栅极区域，其形成于所述第一导电类型半导体衬底的上表面；浮置扩散区域，其具有第二导电类型重掺杂，并且接触于所述栅极区域形成于所述第一导电类型半导体衬底内部；提供第一电压于所述第一电极部，使得与所述第一电极部电连接的第一掺杂区域和第一导电类型隔离层之间产生电势差，使得由于半导体衬底表面的缺陷产生的第二导电类型的载流子经由第一电极部导出，防止暗电流的产生。