[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括:

光电二极管，其通过在第一导电类型半导体衬底内形成第二导电类型区域，从而形成光电二极管，其中，所述第二导电类型区域作为光生载流子收集区；

第一导电类型隔离层，其形成于所述第一导电类型半导体衬底的内部，并且位于光电二极管区域的上部；

第一掺杂区域，其具有第二导电类型，形成于所述第一导电类型半导体衬底的内部，并且接触位于第一导电类型隔离层上部；

第二重掺杂区域，其具有第二导电类型，形成于所述第一导电类型半导体衬底的内部，并且接触位于第一掺杂区域的侧部；

第一电极部，其形成于所述第一导电类型半导体衬底的表面，并接触于所述第二重掺杂区域；

传输管的栅极区域，其形成于所述第一导电类型半导体衬底的上表面；

浮置扩散区域，其具有第二导电类型重掺杂，并且接触于所述栅极区域形成于所述第一导电类型半导体衬底内部；

提供第一电压于所述第一电极部，使得与所述第一电极部电连接的第一掺杂区域和第一导电类型隔离层之间产生电势差，使得由于半导体衬底表面的缺陷产生的第二导电类型的载流子经由第一电极部导出，防止暗电流的产生。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型，所述第二导电类型区域为N型区域并且收集的光生载流子是电子，所述第一电压为正电压，致使N型的第一掺杂区域为高电势，P型的隔离层为低电势，N型的光生载流子收集区是高电势；半导体衬底表面缺陷产生的噪声电子被第一电极部的高电压导出，进而防止暗电流的产生。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，所述第二导电类型区域为P型区域并且收集的光生载流子是空穴，所述第一电压为负电压，致使P型的第一掺杂区域为低电势，N型的隔离层为高电势，P型光生载流子收集区是低电势；半导体衬底表面缺陷产生的噪声空穴被第一电极部的低电压导出，防止暗电流的产生。

4.根据权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：

第二电极部，其覆盖形成于所述第一导电类型隔离层上的部分区域；

同时提供第二电压于所述第二电极部，改变第一导电类型隔离层上表面的电势。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电压与所述第二电压的极性相同。

6.根据权利要求5中所述的图像传感器，其特征在于，所述第二电极部为多晶硅材质或金属材质。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：形成于所述图像传感器外围的浅沟道隔离区域。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型半导体衬底包括第一导电类型基底与外延于所述基底上的第一导电类型外延层。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区域中载流子的密度为：1e¹⁶/cm³至5e¹⁸/cm³。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区域中的厚度为：0.05微米至0.3微米。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电极部采用金属导电电极。