[发明专利]一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法在审
| 申请号： | 201410086759.6 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103839777A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;伊晓燕;刘志强;王国宏;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B23K26/36 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法，该方法包括：取在蓝宝石衬底上生长了氮化镓薄膜的外延片；在氮化镓薄膜的表面沉积过渡层；在过渡层表面制作转移衬底；以及采用步进扫描方式的长条形激光光斑扫描照射整个抛光过的蓝宝石衬底的背面，实现蓝宝石衬底与氮化镓薄膜的整体分离。本发明采用长条形平顶激光光斑进行扫描，既能保证剥离大面积的氮化镓薄膜样品无裂纹，又能获得可接受的加工速率。本发明尤其对目前氮化镓基垂直结构发光二极管、氮化镓单晶的制造工艺的进步具有十分重要的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 大面积 连续 无损 激光 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓薄膜的大面积连续无损激光剥离方法，其特征在于，该方法包括：取在蓝宝石衬底上生长了氮化镓薄膜的外延片；在氮化镓薄膜的表面沉积过渡层；在过渡层表面制作转移衬底；以及采用步进扫描方式的长条形激光光斑扫描照射整个抛光过的蓝宝石衬底的背面，实现蓝宝石衬底与氮化镓薄膜的整体分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
