[发明专利]MEMS传感器的加工方法

摘要

本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层形成接触孔，并在接触孔底部和第二电极层上分别形成金属接触；从衬底的背面依次刻蚀第二电极层、牺牲层、第一电极层及刻蚀阻挡层，并继续刻蚀衬底直至正面的刻蚀阻挡层才停止，形成开口向下的深槽；在衬底的正面上方涂覆光刻胶作保护，留出后续需要被刻蚀牺牲层的区域；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层，并去除深槽底部的刻蚀阻挡层。本发明简化了工艺步骤，保证顺利流片并实现良好的成品率。

主权项

一种MEMS传感器的加工方法，包括步骤：A.提供硅衬底（100）；B.在所述硅衬底（100）的正面和背面分别形成刻蚀阻挡层（102）；C.在所述刻蚀阻挡层（102）上分别形成第一电极层（104）；D.对所述硅衬底（100）正面的所述第一电极层（104）作图形化；E.在所述第一电极层（104）上分别形成牺牲层（106），所述牺牲层（106）会嵌入所述硅衬底（100）正面的所述第一电极层（104）中；F.在所述牺牲层（106）上分别形成第二电极层（108）；G.对所述硅衬底（100）正面的所述第二电极层（108）作图形化；H.从所述硅衬底（100）的正面透过图形化的所述第二电极层（108）刻蚀所述牺牲层（106）至所述第一电极层（104）停止，形成接触孔（109），并在所述接触孔（109）底部和所述第二电极层（108）上分别形成金属接触（110）；I.从所述硅衬底（100）的背面依次刻蚀所述第二电极层（108）、所述牺牲层（106）、所述第一电极层（104）以及所述刻蚀阻挡层（102），并继续刻蚀所述硅衬底（100）直至所述硅衬底（100）正面的所述刻蚀阻挡层（102）才停止，在所述硅衬底（100）中形成一开口向下的深槽（112）；J.在所述硅衬底（100）的正面上方涂覆光刻胶（113）作保护，留出后续需要被刻蚀的所述牺牲层（106）的区域；K.从所述硅衬底（100）的正面透过图形化的所述第二电极层（108）刻蚀所述牺牲层（106），并去除所述深槽（112）底部的所述刻蚀阻挡层（102），在去除所述光刻胶（113）并干燥后，形成所述MEMS传感器。