[发明专利]MEMS传感器的加工方法

权利要求书

1.一种MEMS传感器的加工方法，包括步骤：

A.提供硅衬底（100）；

B.在所述硅衬底（100）的正面和背面分别形成刻蚀阻挡层（102）；

C.在所述刻蚀阻挡层（102）上分别形成第一电极层（104）；

D.对所述硅衬底（100）正面的所述第一电极层（104）作图形化；

E.在所述第一电极层（104）上分别形成牺牲层（106），所述牺牲层（106）会嵌入所述硅衬底（100）正面的所述第一电极层（104）中；

F.在所述牺牲层（106）上分别形成第二电极层（108）；

G.对所述硅衬底（100）正面的所述第二电极层（108）作图形化；

H.从所述硅衬底（100）的正面透过图形化的所述第二电极层（108）刻蚀所述牺牲层（106）至所述第一电极层（104）停止，形成接触孔（109），并在所述接触孔（109）底部和所述第二电极层（108）上分别形成金属接触（110）；

I.从所述硅衬底（100）的背面依次刻蚀所述第二电极层（108）、所述牺牲层（106）、所述第一电极层（104）以及所述刻蚀阻挡层（102），并继续刻蚀所述硅衬底（100）直至所述硅衬底（100）正面的所述刻蚀阻挡层（102）才停止，在所述硅衬底（100）中形成一开口向下的深槽（112）；

J.在所述硅衬底（100）的正面上方涂覆光刻胶（113）作保护，留出后续需要被刻蚀的所述牺牲层（106）的区域；

K.从所述硅衬底（100）的正面透过图形化的所述第二电极层（108）刻蚀所述牺牲层（106），并去除所述深槽（112）底部的所述刻蚀阻挡层（102），在去除所述光刻胶（113）并干燥后，形成所述MEMS传感器。

2.根据权利要求1所述的MEMS传感器的加工方法，其特征在于，所述第一电极层（104）和所述第二电极层（108）均为低应力原位掺杂的多晶硅。

3.根据权利要求2所述的MEMS传感器的加工方法，其特征在于，所述第一电极层（104）和所述第二电极层（108）的应力范围均是从负的数百兆帕至正的数百兆帕。

4.根据权利要求3所述的MEMS传感器的加工方法，其特征在于，所述第一电极层（104）、所述第二电极层（108）和/或所述牺牲层（106）的厚度为数千埃至数万埃。

5.根据权利要求4所述的MEMS传感器的加工方法，其特征在于，所述牺牲层（106）的材料为氧化层。

6.根据权利要求5所述的MEMS传感器的加工方法，其特征在于，所述牺牲层（106）的材料为USG或者PSG。

7.根据权利要求6所述的MEMS传感器的加工方法，其特征在于，在上述步骤I中，从所述硅衬底（100）的背面依次刻蚀所述第二电极层（108）、所述牺牲层（106）、所述第一电极层（104）以及所述刻蚀阻挡层（102）的动作，其是带图形的逐层刻蚀或者是逐层地全部刻蚀掉。

8.根据权利要求7所述的MEMS传感器的加工方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层（102）为二氧化硅。

9.根据权利要求8所述的MEMS传感器的加工方法，其特征在于，所述MEMS传感器为MEMS麦克风。