[发明专利]采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法

摘要

本发明采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，至少包括采用多层光刻胶的胶膜结构作为镀膜的牺牲层材料，图形化后上层胶比下层胶要多伸出一段距离悬空，悬挂在基板的上方一定高度，然后带胶镀膜，剥离成膜，具体包括基板涂覆下层胶，固化；继续涂覆上层胶，固化；与基板原有图形对准，图形化，形成上窄下宽式镀膜窗口；利用物理气相淀积、蒸发、溅射、电镀镀膜方式，基板上淀积薄膜结构；剥离去掉胶牺牲层，留在基板上的镀膜图形带有斜坡状边缘。优点：方便实用简单可靠，成本低，薄膜表面顺滑无毛刺，膜层边缘结合力好，避免断裂或分层剥离，斜坡坡度灵活可控，适用于MEMS、IC、NEMS中的声、气敏、压阻薄膜传感器、集成电路。

主权项

采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征是至少包括采用多层光刻胶的胶膜结构作为镀膜的牺牲层材料，图形化后上层胶比下层胶要多伸出一段距离悬空，悬空高度即为下层胶的厚度，然后带胶镀膜，剥离成膜，具体步骤包括如下：1）基板涂覆下层胶，固化；2）继续涂覆上层胶，固化；3）与基板原有图形对准，图形化，形成上窄下宽式镀膜窗口；4）利用物理气相淀积、蒸发、溅射、电镀镀膜方式，基板上可淀积厚度小于1μm的薄膜结构；5）剥离去掉胶牺牲层，留在基板上的镀膜图形带有斜坡状边缘。