[发明专利]采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法

权利要求书

1.采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征是至少包括采用多层光刻胶的胶膜结构作为镀膜的牺牲层材料，图形化后上层胶比下层胶要多伸出一段距离悬空，悬空高度即为下层胶的厚度，然后带胶镀膜，剥离成膜，具体步骤包括如下：

1）基板涂覆下层胶，固化；

2）继续涂覆上层胶，固化；

3）与基板原有图形对准，图形化，形成上窄下宽式镀膜窗口；

4）利用物理气相淀积、蒸发、溅射、电镀镀膜方式，基板上可淀积厚度小于1μm的薄膜结构；

5）剥离去掉胶牺牲层，留在基板上的镀膜图形带有斜坡状边缘。

2.根据权利要求1所述的采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征在于，所述的上层胶属于光敏型光刻胶，利用对应的各种UV光刻机，紫外光波长190nm～400nm实现胶膜曝光，通过显影液TMAH碱性溶液实现多层胶膜的图形化。

3.根据权利要求1所述的采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征在于，所述的下层胶为剥离厚胶ProLIFT^TM100，胶的厚度1～100μm。

4.根据权利要求2所述的采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征在于，所述的显影液溶解多层胶膜结构时具有底切效应，即相同时间内下层胶溶解速率快于上层胶的溶解速率，多层胶膜结构形成呈梯度的倒阶梯形貌，上层胶比下层胶要多出一段微小胶膜梁，使得镀膜窗口呈现上窄下宽式结构。

5.根据权利要求3所述的采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征在于，所述的下层胶经过不同转速的涂覆/固化后改变厚度，也改变着上层胶与基板之间的间距，可测可控，最终控制薄膜边缘斜坡的厚度及坡度。

6.根据权利要求1所述的采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征在于，所述的物理气相淀积、蒸发、溅射、电镀各种微电子沉积薄膜方法，沉积过程中材料粒子的电子束流，通过上窄下宽式镀膜窗口时引起衍射和散射效应，导致沉积粒子绕过伸出的一段微小胶膜梁而沉积到下层胶的底切窗口区域内形成斜坡状边缘。

7.根据权利要求6所述的采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征在于，所述的沉积薄膜厚度不高于下层胶的厚度。

8.根据权利要求1所述的采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征在于，所述的胶的涂覆/剥离工艺可多次重复，结合光刻机精确对准性能，最终实现多层薄膜结构沉积。

9.根据权利要求6所述的采用光刻胶剥离制备斜坡状边缘金属膜的工艺方法，其特征在于，所述的各种微电子、半导体化合物材料的镀膜，包括Au、Ti、Pt、Mo、Cr、Sn、In、Ni、Cu 金属膜。