[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法和显示装置在审
申请号: | 201410081046.0 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN103943754A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 王劭颛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种电致发光器件及其制备方法和一种显示装置。所述电致发光器件包括相对设置的第一电极和第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,其中,所述发光层包括:位于所述第一电极上呈阵列分布的第一导电类型的纳米线;包覆所述纳米线的第二导电类型的包覆层,所述包覆层与所述第二电极电连接。在本发明技术方案中,由于纳米线的直径仅有数十纳米,远小于发光波长,因此光可直接透过射出,基本没有折射问题,因此大部分发光二极管所发出的光均可取出,进而大大提高了电致发光器件的发光效率,进而提高发光亮度。 | ||
搜索关键词: | 一种 电致发光 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种电致发光器件,其特征在于,包括相对设置的第一电极和第二电极,以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,其中,所述发光层包括:位于所述第一电极上呈阵列分布的第一导电类型的纳米线;包覆所述纳米线的第二导电类型的包覆层,所述包覆层与所述第二电极电连接。
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