[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供具有第一区域和第二区域的衬底，第一区域衬底表面具有第一半导体层，第二区域衬底表面具有第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的材料不同，第一半导体层表面具有第一栅极结构，第二半导体层表面具有第二栅极结构，第一栅极结构两侧具有第一源区和第一漏区，第二栅极结构两侧具有第二源区和第二漏区；在第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区表面形成第三半导体层；使第一源区和第一漏区表面的第三半导体层形成第一接触层，使第二源区和第二漏区表面的第三半导体层形成第二接触层，第一接触层和第二接触层的材料相同。所形成的半导体器件性能改善。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域，第一区域的衬底表面具有第一半导体层，第二区域的衬底表面具有第二半导体层，所述第一半导体层的材料为III‑V族材料，所述第二半导体层的材料为锗，所述第一半导体层表面具有第一栅极结构，所述第二半导体层表面具有第二栅极结构，所述第一栅极结构两侧的第一半导体层内具有第一源区和第一漏区，所述第二栅极结构两侧的第二半导体层内具有第二源区和第二漏区，所述第一源区和第一漏区内具有N型离子，所述第二源区和第二漏区内具有P型离子；在所述第一源区、第一漏区、第二源区和第二漏区表面形成第三半导体层，所述第三半导体层的厚度小于10纳米；采用自对准金属化工艺使第一源区和第一漏区表面的第三半导体层完全形成第一接触层，使第二源区和第二漏区表面的第三半导体层完全形成第二接触层，所述第一接触层和第二接触层的材料相同；在第一接触层表面形成第一导电插塞，在第二接触层表面形成第二导电插塞。