[发明专利]应力记忆工艺

摘要

本发明涉及应力记忆工艺，公开一种方法，其包括提供一种包括设置在半导体区域上方的栅极结构的半导体结构。进行离子注入制程，其非晶化邻近该栅极结构的该半导体区域的第一部分及邻近该栅极结构的该半导体区域的第二部分，以使第一非晶区域及第二非晶区域在邻近该栅极结构处形成。进行原子层沉积制程，其在该半导体结构上方沉积具有内部应力的材料层，且选定进行该原子层沉积制程的至少一部分的温度及该原子层沉积制程的至少一部分的持续时间，以使该第一非晶区域及该第二非晶区域在该原子层沉积制程期间重新结晶。

主权项

一种形成集成电路的方法，其包括：提供一种半导体结构，其包括设置在半导体区域上方的栅极结构；进行离子注入制程，其非晶化邻近该栅极结构的该半导体区域的第一部分及邻近该栅极结构的该半导体区域的第二部分，以使第一非晶区域及第二非晶区域在邻近该栅极结构处形成；以及进行原子层沉积制程，其在该半导体结构上方沉积具有内部应力的材料层，该原子层沉积制程包含第一部分及第二部分，该原子层沉积制程的该第一部分在400℃至450℃的温度范围内进行，其中基本上该第一非晶区域和该第二非晶区域不会发生重新结晶，该原子层沉积制程的该第一部分形成具有内部应力的该材料层的第一部分，该原子层沉积制程的该第二部分在500℃至700℃的温度范围内进行且形成具有内部应力的该材料层的第二部分，且选定进行该原子层沉积制程的该第二部分的该温度及该原子层沉积制程的该第二部分的持续时间，以使该第一非晶区域及该第二非晶区域在该原子层沉积制程的该第二部分的期间重新结晶；其中，各个该原子层沉积制程的该第一部分和该原子层沉积制程的该第二部分包括：交替供应包含硅的第一前驱体及包含氮的第二前驱体给该半导体结构的表面，其中，该第一前驱体包含一氯甲硅烷、三氯硅烷及四氯硅烷中的至少其中一种，且其中，该第二前驱体包含肼。