[发明专利]一种原位生长碳纳米管增强银基电接触材料的制备方法

摘要

一种原位生长碳纳米管增强银基电接触材料的制备方法，本发明涉及电接触材料的制备方法。本发明要解决常用的CNTs/Ag复合材料制备方法存在着碳纳米管分散不均匀、结构缺陷多的技术问题。方法：一、制备Ni(NO₃)₂/Ag复合粉末；二、采用离子体方法制备电接触材料。本发明采用等离子体增强化学气相沉积方法低温原位生长碳纳米管，保证了银粉末中碳纳米管的结构完美和均匀分散性，避免了CNTs/Ag基电接触复合粉末中碳纳米管的团聚，真正意义上实现了碳纳米管对CNTs/Ag基电接触复合粉末性能的改善。本发明用于制备原位生长碳纳米管增强银基电接触材料。

主权项

一种原位生长碳纳米管增强银基电接触材料的制备方法，其特征在于具体是按照以下步骤制备的：一、将银粉末和六水硝酸镍混合，再加入乙醇至六水硝酸镍的浓度为0.1mol/L，然后机械搅拌25min～35min，再加热搅拌至乙醇完全挥发，得到Ni(NO₃)₂/Ag复合粉末，其中，六水硝酸镍与银粉末的质量比为2%～10%；二、将步骤一得到的Ni(NO₃)₂/Ag复合粉末均匀铺于石英舟中，将石英舟放入等离子体增强化学气相沉积设备中，抽真空至压力为5Pa以下，通入H₂，控制H₂流量为20sccm，保持压强为200Pa，然后以30℃/min的速度升温至工作温度600℃～800℃，再通入CH₄气体，调节H₂和CH₄的总流量为50sccm，保持工作压强为500Pa～800Pa，沉积系统射频电源频率为13.56MHz，射频功率为200W，沉积时间为10min～30min，沉积结束后，关闭射频电源和加热电源，停止通入CH₄气体，以H₂为保护气体，控制H₂流量为20sccm，调节工作压强为200Pa，冷却至室温，得到CNTs/Ag基复合粉末，即获得一种原位生长碳纳米管增强银基电接触材料。