[发明专利]改善剥脱衬底的表面质量的方法无效
| 申请号： | 201410074514.1 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104037059A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | S·W·比德尔;K·E·福格尔;P·A·劳罗;D·K·萨达那 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及改善剥脱衬底的表面质量的方法。在进行受控剥脱工艺之前在基础衬底和支撑结构之间形成顺从材料。通过将顺从材料设置在基础衬底和支撑结构之间，可以减少表面扰动（颗粒、晶片制品等）对剥脱模式断裂的局域效果。因此，本公开的方法导致了剥脱材料层和剩余基础衬底的表面质量的改善。另外，本公开的方法还能减少劈裂制品的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 剥脱 衬底 表面 质量 方法 | ||
【主权项】：
一种用于从基础衬底去除材料层的方法，所述方法包括：在基础衬底的第一表面顶上形成应力源层；将与所述基础衬底的所述第一表面相对的所述基础衬底的第二表面固定到支撑结构上，其中形成在所述基础衬底的所述第二表面和所述支撑结构之间插入的顺从层；以及通过剥脱去除所述基础衬底的材料层，其中所述材料层被附着到至少所述应力源层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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