[发明专利]一种HVPMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410073866.5 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882479B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 马栋;王楠;樊杨;陈斌;彭宇飞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供的HVPMOS器件及其制造方法，所述HVPMOS器件包括P型衬底，设置在底部；缓冲层，设置在所述P型衬底上方；N型阱区，设置在所述缓冲层上方；侧面隔离区，设置在所述N型阱区外侧；栅极，设置在所述N型阱区之上；源区，设置在所述栅极左侧；漏区，设置在所述栅极右侧，所述漏区包括位于N型阱区内的漂流层，设置在所述漂流层上方的场氧化层和P型重掺杂区；其特征在于，在所述HVPMOS器件的漂流层有P型杂质注入，所述P型杂质注入面密度为(1.2‑1.6)×1014cm‑2量级。通过在漂移区进行P型杂质注入的浓度，可以非常有效地减低HVPMOS器件的导通电阻和提高击穿电压等性能参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hvpmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种HVPMOS器件，包括：P型衬底；N+缓冲层，位于所述P型衬底上方；N型阱区，位于所述N+缓冲层上方；侧面隔离区，位于所述N型阱区外侧，其中侧面隔离区为P型阱区；栅极，位于所述N型阱区上方；源极区和漏极区，分别位于所述栅极的两侧，其中，所述漏极区包括P型重掺杂区，所述源极区包括位于N型阱区内的P型重掺杂区、N型重掺杂区；漂移区，位于所述漏极区下方；其特征在于，在所述漂移区有P型杂质注入，所述P型杂质注入面密度为(1.2‑1.4)×1014cm‑2量级。
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