[发明专利]一种侦测蚀刻腔体内聚合物的方法在审
| 申请号： | 201410071988.0 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882358A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种侦测蚀刻腔体内聚合物的方法，其包括：提供晶圆；在蚀刻腔体中放入所述晶圆；向所述蚀刻腔体内通入具有离子轰击性和反应活性的混合气体，形成等离子体；利用所述等离子体清洗所述蚀刻腔体的侧壁和/或位于所述蚀刻腔体内的部件表面上的聚合物，致使所述蚀刻腔体内的聚合物附着于所述晶圆的表面；取出晶圆，对附着于所述晶圆的表面上的聚合物进行质谱分析。该方法无需拆卸设备，且不会消耗太长的时间及人力，可实时侦测蚀刻腔体当前的聚合物状况，使得侦测结果更为准确有效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 侦测 蚀刻 体内 聚合物 方法 | ||
【主权项】：
一种侦测蚀刻腔体内聚合物的方法，其特征在于，其包括：提供晶圆；在蚀刻腔体中放入所述晶圆；向所述蚀刻腔体内通入具有离子轰击性和反应活性的混合气体，形成等离子体；利用所述等离子体清洗所述蚀刻腔体的侧壁和/或位于所述蚀刻腔体内的部件表面上的聚合物，致使所述蚀刻腔体内的聚合物附着于所述晶圆的表面；取出晶圆，对附着于所述晶圆的表面上的聚合物进行质谱分析。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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