[发明专利]半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法在审
| 申请号： | 201410071460.3 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104882357A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吴佳;吴煜东;刘可安;李诚瞻;史晶晶;蒋华平;唐龙谷;赵艳黎;杨勇雄 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法，耐压终端结构包括：第一掺杂区，以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构，刻蚀剖面从第一掺杂区穿过在第一掺杂区和第二掺杂区的交界处形成势垒层，并平缓地过渡至位于第二掺杂区的非台面区域。制造方法包括淀积掩膜层、光刻、湿法腐蚀掩膜层和干法刻蚀半导体器件基底材料等步骤。本发明不但能够缓解电场集中的现象，从而提高器件的反向耐压，同时器件所占面积更小，在相同尺寸晶圆上可设计更多的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 耐压 终端 结构 及其 应用于 sic 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件耐压终端结构，其特征在于，包括：第一掺杂区（1），以及掺杂浓度相对于所述第一掺杂区（1）较轻的第二掺杂区（2）；所述半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面（3）采用连续光滑曲面的台面结构，所述刻蚀剖面（3）从所述第一掺杂区（1）穿过在所述第一掺杂区（1）和第二掺杂区（2）的交界处形成的势垒层（6），并平缓地过渡至位于所述第二掺杂区（2）的非台面区域（33）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
