[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。为了控制层叠多晶硅膜的晶粒生长，提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上（10）形成第一多晶硅膜（21）；在第一多晶硅膜（21）的表面上形成层间氧化物层（22）；在第一多晶硅膜（21）上方形成与层间氧化物层（22）接触的第二多晶硅膜（23）；以及在形成第二多晶硅膜（23）之后，在包含氮的气体气氛下，在高于第一和第二多晶硅膜的膜形成温度的温度下执行退火。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一多晶硅膜；在所述第一多晶硅膜的表面上形成氧化物层；在所述第一多晶硅膜上方形成第二多晶硅膜，所述第二多晶硅膜与所述氧化物层接触；以及在形成所述第二多晶硅膜之后，在包含氮的气体气氛下，在比所述第一多晶硅膜和所述第二多晶硅膜的膜形成温度高的温度下执行退火，以使得将氮引入到所述氧化物层，以抑制在所述第一多晶硅膜和所述第二多晶硅膜内的晶粒生长，并且其中，所述包含氮的气体包括N2气体、NO气体以及N2O气体中的一种。