[发明专利]透明导电电极及阵列基板的制备方法有效
| 申请号： | 201410064958.7 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103839794A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王美丽;刘凤娟;姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种透明导电电极及阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，在透明导电电极的制备过程中，可实现刻蚀无残留的目的；该透明导电电极的制备方法包括在基板上形成牺牲层，对牺牲层进行构图工艺处理，在除第一区域外的基板上形成第一图案；第一图案的远离基板的上表面的面积大于靠近基板的下表面的面积，以使得在形成透明导电薄膜后，在断面处露出所述第一图案；在形成有第一图案的基板上，形成透明导电薄膜；透明导电薄膜与第一图案的厚度比大于等于1:1.5，且透明导电薄膜与第一图案刻蚀的选择比大于等于1:20；采用湿法刻蚀对第一图案进行刻蚀，形成位于第一区域的透明导电电极。用于透明导电电极的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 电极 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电电极的制备方法，包括：在基板上形成位于第一区域的透明导电电极；其特征在于，所述在基板上形成位于第一区域的透明导电电极包括：在基板上形成牺牲层，对所述牺牲层进行构图工艺处理，在除所述第一区域外的基板上形成第一图案；所述第一图案的远离所述基板的上表面的面积大于靠近所述基板的下表面的面积，以使得在形成透明导电薄膜后，在断面处露出所述第一图案；在形成有所述第一图案的基板上，形成所述透明导电薄膜；所述透明导电薄膜与所述第一图案的厚度比大于等于1:1.5，且所述透明导电薄膜与所述第一图案刻蚀的选择比大于等于1:20；采用湿法刻蚀对所述第一图案进行刻蚀，形成位于所述第一区域的所述透明导电电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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