[发明专利]一种提高栅氧化物介电常数的方法

摘要

本发明为一种提高栅氧化物介电常数的方法，涉及用于半导体MOS器件的制造工艺领域，尤其涉及一种提高栅氧化物介电常数的方法，包括以下步骤：提供一基底；在所述基底上制备一SiO2栅氧化层；对所述SiO2栅氧化层进行氮的注入，使SiO2中的部分氧原子由氮原子取代，以形成SiON栅氧化层；在高于1000℃并伴随纯惰性气体的氛围对SiON栅氧化层进行氮化处理，以修复晶格损伤并形成稳定Si-N键；在低于800℃的氛围下对SiON栅氧化层进行氧化处理，以修复SiO2/Si界面。与传统的高温氮化处理工艺相比，采用本发明制备的SiON栅氧化层不仅具有稳定的氮含量，而且能有效提高栅氧化物氮含量30%左右，从而使所制备的栅氧化物具有较高的介电常数，实现了对SiON栅介质介电系数精确剪裁的目的。

主权项

一种提高栅氧化物介电常数的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一基底；步骤S2、在所述基底上制备一SiO₂栅氧化层；步骤S3、对所述SiO₂栅氧化层进行氮的注入，使SiO₂中的部分氧原子由氮原子取代，以形成SiON栅氧化层；步骤S4、在高于1000℃并伴随纯惰性气体的氛围下对所述SiON栅氧化层进行氮化处理，以修复晶格损伤并形成稳定Si‑N键；步骤S5、在低于800℃的氛围下对经过氮化处理后的所述SiON栅氧化层进行氧化处理，以修复SiO₂/Si界面。