[发明专利]场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410060125.3 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103872118A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 高剑琴;周海锋;谭俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体制备技术领域。该方法为：在一衬底上以刻蚀工艺形成源漏区，并采用酸液对所述源漏区表面的自然氧化层进行清洗；在所述源漏区内形成缓冲层，所述缓冲层厚度为所述源漏区深度的30%～70%；以外延生长工艺于所述缓冲层上形成应变材料层；以外延生长工艺于所述应变材料层上形成硅帽层。本发明通过增大缓冲层厚度，使缓冲层厚度达到源漏刻蚀深度的30%～70%，可有效地降低从界面处产生并延伸到应变材料内部的缺陷，增大了源漏区外延生长条件的调节窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：衬底、位于所述衬底上的沟道区、位于所述沟道区上的栅极、位于所述栅极两侧的隔离侧墙以及源漏区；所述源漏区内设有缓冲层，所述缓冲层上设有应变材料层，所述应变材料层上覆盖有硅帽层，其特征在于，所述缓冲层的厚度为所述源漏区深度的30%～70%。
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