[发明专利]具有AlSiN钝化层的异质结构功率晶体管有效
| 申请号： | 201410059960.5 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104022148B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | J·拉姆德尼;M·墨菲;J·P·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种异质结构半导体器件，包含第一活性层和布置在该第一活性层上的第二活性层。二维电子气层被形成在该第一活性层与该第二活性层之间。AlSiN钝化层被布置在该第二活性层上。第一欧姆接触点和第二欧姆接触点电学连接到该第二活性层。该第一欧姆接触点和该第二欧姆接触点横向间隔开，栅极被布置在该第一欧姆接触点与该第二欧姆接触点之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 alsin 钝化 结构 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种异质结构功率晶体管，包括：第一活性层；第二活性层，被布置在该第一活性层上，二维电子气层形成在该第一活性层与该第二活性层之间；包括氮化铝硅（AlSiN）的钝化层，被布置在该第二活性层上；栅极；第一欧姆接触点和第二欧姆接触点，它们电学连接到该第二活性层，该第一欧姆接触点和该第二欧姆接触点横向间隔开，该栅极被布置在该第一欧姆接触点与该第二欧姆接触点之间。
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