[发明专利]用于制造集成电路的方法和集成电路有效
| 申请号： | 201410056337.4 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103996660B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | M.莱姆克;S.特根;M.福格特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王岳,徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造集成电路的方法和集成电路。用于制造集成电路的方法可以包括在载体中或在载体上方形成电子电路；形成至少一个金属化层结构，金属化层结构配置成电连接电子电路；以及在至少一个金属化层结构中至少部分地形成固态电解质电池，其中固态电解质电池电连接到电子电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造集成电路的方法，所述方法包括：在载体中或在载体上方形成电子电路；形成至少一个金属化层结构，金属化层结构配置成电连接所述电子电路；在所述至少一个金属化层结构中至少部分地形成固态电解质电池，其中所述固态电解质电池电连接到所述电子电路；在所述至少一个金属层化结构的一部分的上方以及在所述固态电解质电池之下形成电绝缘基体层；以及在形成所述固态电解质电池之前图案化所述电绝缘基体层以为所述固态电解质电池提供载体结构，其中图案化所述电绝缘基体层包括形成多个电绝缘基体层结构元件，其中所述至少一个金属化层结构的至少一个导电部分被暴露在所述多个电绝缘基体层结构元件的至少两个邻近的电绝缘基体层结构元件之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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