[发明专利]半导体器件的针孔类缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201410055552.2 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN104851820B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈金园;曹文康;黎智;谭志辉 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的缺陷检测方法，包括在形成有氧化层的衬底表面生长金属层，所述金属层位于所述氧化层的上方；在所述金属层的表面涂覆光刻胶，以形成对所述金属层中无缺陷区域的保护层；依次对涂覆有所述光刻胶的衬底进行金属层蚀刻和氧化层蚀刻；去除所述衬底表面的光刻胶；刻蚀掉所述金属层；检测所述氧化层是否存在缺陷，以确定半导体器件是否存在缺陷。本发明的技术方案能够方便地检测到半导体器件中的针孔类缺陷，避免针孔类缺陷的存在影响半导体器件的使用寿命和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的针孔类缺陷检测方法，其特征在于，包括：在形成有氧化层的衬底表面生长金属层，所述金属层位于所述氧化层的上方；在所述金属层的表面涂覆光刻胶，以形成对所述金属层中无针孔类缺陷的区域的保护层；依次对涂覆有所述光刻胶的衬底进行金属层蚀刻和氧化层蚀刻；去除所述衬底表面的光刻胶；刻蚀掉所述金属层；检测所述氧化层是否存在缺陷，以确定半导体器件是否存在针孔类缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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