[发明专利]带有具有竖直杂质分布的超级结结构的半导体器件

摘要

一种超级结半导体器件包括具有平行的第一和第二表面的半导体部分。在半导体部分中形成第一导电类型的杂质层。在第一表面和杂质层之间，超级结结构包括第一导电类型的第一列和第二导电类型的第二列。第一和第二列之间的补偿率的符号可以沿着垂直于第一表面的列的竖直延伸而变化。在第一表面和第二列中的一个列之间形成第二导电类型的主体区域。第二导电类型的场延伸区域可以电连接到主体区域，或者第一导电类型的场延伸区域可以连接到杂质层。场延伸区域改善了半导体器件的雪崩特性。

主权项

一种超级结半导体器件，包括：第一导电类型的杂质层，形成于具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面的半导体部分中；超级结结构，在所述第一表面和所述杂质层之间，所述超级结结构包括所述第一导电类型的第一列和相反的第二导电类型的第二列，其中所述第一列和所述第二列之间的补偿率的符号沿着垂直于所述第一表面的所述列的竖直延伸而改变；所述第二导电类型的主体区域，形成于所述第一表面和所述第二列中的一个列之间；以及所述第二导电类型的场延伸区域，电连接到所述主体区域并被布置在所述第一列或所述第二列中的一个列的竖直投影区域中，其中所述场延伸区域中的区域杂质密度在1×1012和5×1012cm‑2之间，并且所述场延伸区域中的平均净杂质浓度比所述第二列的直接邻接的部分中的平均净杂质浓度高并且比所述主体区域中的平均净杂质浓度低。