[发明专利]生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410053096.8 | 申请日： | 2014-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104009130B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 卢宗铉;崔珉硕;金泰亨 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 达小丽,夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法。公开了一种制造发光器件的方法。更具体地，公开了生长衬底、氮化物半导体器件和制造发光器件的方法。该方法包括准备包括金属衬底的生长衬底；在生长衬底上形成包括氮化物基半导体的半导体结构；在半导体结构上提供支撑结构；以及从半导体结构分离生长衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造氮化物半导体器件的方法，包括：准备包括金属衬底的生长衬底，其中准备所述生长衬底包括：在所述金属衬底上形成用于生长氮化物基半导体的生长基层；在所述生长衬底上形成包括所述氮化物基半导体的半导体结构；在所述半导体结构上提供支撑结构；以及从所述半导体结构分离所述生长衬底，其中通过电解处理来执行分离所述生长衬底。
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