[发明专利]TSV盲孔的制作方法有效
| 申请号： | 201410045878.7 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104835776B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TSV盲孔的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一硅基板，在所述硅基板表面形成一掩膜层并图形化，形成TSV盲孔掩模图形；S2：以氟的等离子气体干法刻蚀所述硅基板正面并持续第一预设时间，然后再用碳氟等离子气体对刻蚀表面进行钝化并持续第二预设时间；S3：重复步骤S2若干次，循环地进行刻蚀和钝化交替加工，直至刻蚀深度到达预设深度，形成若干TSV盲孔；S4：将步骤S3获得的结构浸泡在各向异性碱性蚀刻液中进行清洗。本发明可以有效改善TSV侧壁的环形扇贝花纹（scallop）现象，最终TSV侧壁的环形扇贝花纹高度小于10纳米，改善程度大于80%，可以提高后续薄膜的工艺质量，降低漏电流，提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种TSV盲孔的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一硅基板，在所述硅基板表面形成一掩膜层并图形化，形成TSV盲孔掩模图形；S2：以氟的等离子气体干法刻蚀所述硅基板正面并持续第一预设时间，然后再用碳氟等离子气体对刻蚀表面进行钝化并持续第二预设时间；S3：重复步骤S2若干次，循环地进行刻蚀和钝化交替加工，直至刻蚀深度到达预设深度，形成若干TSV盲孔；S4：将步骤S3获得的结构浸泡在各向异性碱性蚀刻液中进行清洗，所述各向异性碱性蚀刻液采用TMAH溶液或NH4OH溶液，且清洗过程中，在各晶向上蚀刻速率(110)>(100)>(111)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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