[发明专利]一种功率器件结终端结构与制造方法有效
| 申请号： | 201410044426.7 | 申请日： | 2014-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103824879B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋华平;刘可安;吴煜东;李诚瞻;赵艳黎;吴佳;唐龙谷 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件结终端结构，其特征在于，所述功率器件结终端结构为碳化硅功率器件结终端结构，其包括场限环和电荷补偿区；所述场限环间隔设置于最外侧主结的外侧；所述电荷补偿区通过掺杂间隔形成于外延层；所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。
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