[发明专利]深硅刻蚀方法

摘要

本发明涉及硅片刻蚀领域，具体而言，涉及深硅刻蚀方法及其装置。该深硅刻蚀方法，包括如下步骤将腐蚀溶液置于水浴中加热至预定温度，并通过磁力搅拌器对所述腐蚀溶液进行搅拌，使所述腐蚀溶液内部温度均匀；将带有掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀；将腐蚀好的硅片用去离子水清洗并经氮气吹干，得到成品硅片。本发明提供的深硅刻蚀方法及其装置，与现有技术相比，使刻蚀出的硅片的结构、图形、尺寸一致。

主权项

深硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：将腐蚀溶液置于水浴中加热至预定温度，并通过磁力搅拌器对所述腐蚀溶液进行搅拌，使所述腐蚀溶液内部温度均匀；将带有掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀；将腐蚀好的硅片用去离子水清洗并经氮气吹干，得到成品硅片；所述步骤将带有掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀，具体包括如下步骤：将一侧带有第一掩膜、另一侧带有第二掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀，使硅片腐蚀预定厚度，所述第一掩膜的开口位置与所述第二掩膜的开口位置不同；取出所述竖直置于所述腐蚀溶液中的所述硅片，并记所述预定厚度为H1，记所述硅片置于所述腐蚀溶液中的时间为T；再次将所述硅片置于所述腐蚀溶液内部，并计时；当再次将所述硅片置于所述腐蚀溶液内部的时间达到二次腐蚀时间时，再次取出所述硅片，去掉所述第一掩膜上与所述第二掩膜开口相对应位置的掩膜，去掉所述第二掩膜上与所述第一掩膜开口相对应位置的掩膜，并记所述再次取出的所述硅片的腐蚀深度为H2，其中所述二次腐蚀时间＝(硅片总厚度‑H1‑H3)*T/H1，H3为硅片总厚度的15％‑20％；将所述腐蚀深度为H2的所述硅片置于所述腐蚀溶液中，并计时；当所述计时的时间达到剩余时间时取出所述腐蚀溶液中的所述硅片，得到腐蚀好的硅片，所述剩余时间的计算方式为，剩余时间＝(硅片总厚度‑H2)*T/H1。