[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的形成方法。所述形成方法包括：先采用第一平坦化工艺去除部分厚度的介质层，之后在所述介质层上形成修复介质层。所述修复介质层可及时填充满先前去除部分介质层后，在所述介质层表面形成的凹槽，提高介质层表面的平整度。从而可在后续以第二平坦化工艺去除修复介质层和介质层，露出伪栅材料层后，有效提高所述介质层表面的平整度，避免在介质层表面形成较大凹槽缺陷。从而可在后续去除伪栅材料层，于所述介质层内形成栅极凹槽，并向栅极凹槽内填充栅极材料时，避免基于所述介质层表面形成有凹槽，而在这些凹槽内同时填充栅极材料，形成连接相邻栅极的导电层，进而避免栅极间的电导通现象，降低栅极性能的缺陷。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于：包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅材料层；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅结构；采用第一平坦化工艺去除部分厚度的所述介质层；在剩余介质层表面形成修复介质层；采用第二平坦化工艺去除所述修复介质层和剩余介质层，直至露出所述伪栅材料层。