[发明专利]光电转换结构、应用其的太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201410041878.X 申请日: 2014-01-28
公开(公告)号: CN103730522A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 黄明义;杨伯川;何志浩;王新平;林姿吟 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/20
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;李玉锁
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种光电转换结构、应用其的太阳能电池及其制造方法,所述光电转换结构包含基板、第一半导体结构与第二半导体结构。基板具有两相对的第一表面与第二表面。第一表面具有多个微米结构以及多个纳米结构。纳米结构分布于微米结构表面上,且纳米结构的高度为约500纳米至900纳米。第一半导体结构置于基板的第一表面上。第二半导体结构置于基板的第二表面上。因上述光电转换结构先形成纳米结构于微米结构上,因此第一表面可具有抗反射的效果。更进一步地,因在形成纳米结构后,再进一步对纳米结构进行蚀刻,因此纳米结构的表面积的粗糙度可降低,以减少载子在纳米结构的表面复合的机率。
搜索关键词: 光电 转换 结构 应用 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光电转换结构,包含:一基板,具有两相对的第一表面与第二表面,其中该第一表面具有多个微米结构以及多个纳米结构,所述纳米结构分布于所述微米结构表面上,且所述纳米结构的高度为约500纳米至900纳米;一第一半导体结构,置于该基板的该第一表面上;以及一第二半导体结构,置于该基板的该第二表面上。
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