[发明专利]光电转换结构、应用其的太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201410041878.X | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103730522A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 黄明义;杨伯川;何志浩;王新平;林姿吟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/20 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 结构 应用 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电转换结构,包含:
一基板,具有两相对的第一表面与第二表面,其中该第一表面具有多个微米结构以及多个纳米结构,所述纳米结构分布于所述微米结构表面上,且所述纳米结构的高度为约500纳米至900纳米;
一第一半导体结构,置于该基板的该第一表面上;以及
一第二半导体结构,置于该基板的该第二表面上。
2.如权利要求1所述的光电转换结构,其中每一所述微米结构的形状为金字塔、凹洞或其混合。
3.如权利要求1所述的光电转换结构,其中每一所述微米结构的高度为约1微米至20微米。
4.如权利要求1所述的光电转换结构,其中该第一半导体结构为一N型半导体层,且该第二半导体结构为一P型半导体层;或者该第一半导体结构为一P型半导体层,且该第二半导体结构为一N型半导体层。
5.如权利要求1所述的光电转换结构,其中该第一半导体结构包含:
一i型半导体层,置于该基板的该第一表面;以及
一p型半导体层,该i型半导体层置于该p型半导体层与该基板的该第一表面之间;以及
其中该第二半导体结构包含:
一i型半导体层,置于该基板的该第二表面;以及
一n+型半导体层,该i型半导体层置于该n+型半导体层与该基板的该第二表面之间。
6.一种太阳能电池,包含:
如权利要求1所述的光电转换结构;
一第一电极结构,该第一半导体结构置于该第一电极结构与该基板之间;以及
一第二电极结构,该第二半导体结构置于该第二电极结构与该基板之间。
7.如权利要求6所述的太阳能电池,其中该第一电极结构包含:
一透明导电层,该第一半导体结构置于该透明导电层与该基板之间;以及
至少一金属电极,部分该透明导电层置于该金属电极与该第一半导体结构之间。
8.如权利要求6所述的太阳能电池,其中该第二电极结构为一金属层。
9.如权利要求6所述的太阳能电池,其中该第二电极结构包含:
一透明导电层,该第二半导体结构置于该透明导电层与该基板之间;以及
至少一金属电极,部分的该透明导电层置于该金属电极与该第二半导体结构之间。
10.如权利要求6所述的太阳能电池,其中该光电转换结构的该基板的该第二表面具有多个微米结构,且该第二电极结构包含:
一透明导电层,该第二半导体结构置于该透明导电层与该基板之间;以及
一金属电极,全面覆盖该透明导电层。
11.一种光电转换结构的制造方法,包含:
提供一基板;
形成多个微米结构于该基板的一第一表面;
蚀刻所述微米结构,使得每一所述微米结构表面形成多个纳米结构;
蚀刻所述纳米结构;
形成一第一半导体结构于该基板的该第一表面上;以及
形成一第二半导体结构于该基板的一第二表面上。
12.如权利要求11所述的制造方法,其中蚀刻所述纳米结构的步骤包含:
将所述纳米结构的高度蚀刻至500纳米至900纳米。
13.如权利要求11所述的制造方法,其中蚀刻所述纳米结构的方法为各向同性湿式蚀刻。
14.如权利要求11所述的制造方法,其中蚀刻所述纳米结构的方法为各向异性湿式蚀刻。
15.如权利要求11所述的制造方法,其中蚀刻所述微米结构的步骤包含:
形成多个催化剂于所述微米结构表面上;以及
借由所述催化剂蚀刻所述微米结构。
16.如权利要求15所述的制造方法,其中蚀刻所述纳米结构的步骤包含:
一并将所述催化剂去除。
17.如权利要求15所述的制造方法,其中该催化剂为金属纳米粒子。
18.如权利要求11所述的制造方法,其中蚀刻所述微米结构的方法为各向异性湿式蚀刻。
19.如权利要求11所述的制造方法,其中形成所述微米结构的方法包含形成一第一微米结构,且该第一微米结构的形成方法为各向同性湿式蚀刻。
20.如权利要求19所述的制造方法,其中形成所述微米结构的方法包含形成一第二微米结构于该第一微米结构上,且该第二微米结构的形成方法为各向异性湿式蚀刻。
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