[发明专利]晶体硅型太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种使载流子的再结合速度充分降低、同时可以廉价地制造的晶体硅型太阳能电池及其制造方法。在背面电极层和第1半导体层之间形成具有5～30nm的膜厚的第2钝化膜。然后，通过烧成，背面电极层的电极材料通过第2钝化膜，扩散至第1半导体层，由此使第1半导体层与背面电极层导通，同时在第2钝化膜和第1半导体层之间形成具有高于第1半导体层的第1导电型杂质浓度的第1导电型高浓度半导体层。因此，不需要光刻法所代表的电极的图案化（不会增加制造成本），可以充分降低载流子的再结合速度。

主权项

一种晶体硅型太阳能电池，其具备：将背面电极层、第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、第1钝化膜和表面电极从受光侧的第1主面的相反侧的第2主面侧起依次层叠而形成的单元结构，其特征在于，在所述背面电极层与所述第1半导体层之间形成具有5～30nm的膜厚的第2钝化膜，所述背面电极层的电极材料通过所述第2钝化膜扩散至所述第1半导体层，由此使所述第1半导体层和所述背面电极层导通，并且在所述第2钝化膜和所述第1半导体层之间形成具有高于所述第1半导体层的第1导电型杂质浓度的第1导电型的高浓度半导体层。