[发明专利]晶体硅型太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体硅型太阳能电池，其具备：将背面电极层、第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、第1钝化膜和表面电极从受光侧的第1主面的相反侧的第2主面侧起依次层叠而形成的单元结构，

其特征在于，

在所述背面电极层与所述第1半导体层之间形成具有5～30nm的膜厚的第2钝化膜，

所述背面电极层的电极材料通过所述第2钝化膜扩散至所述第1半导体层，由此使所述第1半导体层和所述背面电极层导通，并且在所述第2钝化膜和所述第1半导体层之间形成具有高于所述第1半导体层的第1导电型杂质浓度的第1导电型的高浓度半导体层。

2.根据权利要求1所述的晶体硅型太阳能电池，其特征在于，所述第1钝化膜具有防止光反射性。

3.根据权利要求1或2所述的晶体硅型太阳能电池，其特征在于，所述第2钝化膜以氮化硅作为主要要素。

4.根据权利要求3所述的晶体硅型太阳能电池，其特征在于，所述第2钝化膜的折射率是2.4以上。

5.一种晶体硅型太阳能电池的制造方法，其具备下述工序：

（a）pn结形成工序，该工序在第1导电型的半导体硅基板的两主面中，从受光面侧的第1主面侧导入第2导电型的杂质，由此在所述基板内形成第1导电型的第1半导体层与存在于该第1半导体层上的第2导电型的第2半导体层的pn结；

（b）钝化膜形成工序，该工序在所述第1主面上形成第1钝化膜，并且在所述基板的第2主面上形成第2钝化膜；

（c）电极形成工序，该工序在所述第1钝化膜上形成表面电极层，并且在所述第2钝化膜上形成背面电极层；以及

（d）烧成工序，该工序烧成所述表面电极层和所述背面电极层，

其特征在于，

在所述（b）工序中成膜的所述第2钝化膜的膜厚是在5～30nm的范围内，

所述（d）工序具备：

d－1）导通工序，该工序加热所述表面电极层，使该表面电极层的电极材料贯穿所述第1钝化膜的一部分而到达所述第2半导体层，通过该到达使所形成的表面电极与所述第2半导体层导通；以及

d－2）扩散工序，该工序加热所述背面电极层，使该背面电极层的电极材料通过所述第2钝化膜扩散至所述第1半导体层，由此使所述第1半导体层与所述背面电极层导通，并且在所述第2钝化膜与所述第1半导体层之间形成具有高于所述第1半导体层的第1导电型杂质浓度的第1导电型的高浓度半导体层。

6.根据权利要求5所述的晶体硅型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第1钝化膜具有防止光反射性。

7.根据权利要求5或6所述的晶体硅型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第2钝化膜以氮化硅作为主要要素。

8.根据权利要求7所述的晶体硅型太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第2钝化膜的折射率是2.4以上。