[发明专利]场氧化层的形成方法有效
| 申请号： | 201410037582.0 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104810271B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;乐双申;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场氧化层的形成方法。所述形成方法包括在衬底表面形成垫氧化层；在所述衬底中的设定区域形成掺杂区域；在所述垫氧化层表面与所述设定区域对应的位置形成主体氧化层。本发明提供的场氧化层的形成方法，能够缩短形成场氧化层的时间，提高形成场氧化层的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种场氧化层的形成方法，其特征在于，包括：在衬底表面形成垫氧化层；在所述衬底中的设定区域形成掺杂区域，具体为：在所述垫氧化层表面沉积氮化硅，形成氮化硅层；在所述氮化硅层表面涂布光阻，并将与所述设定区域对应位置的光阻和氮化硅层去除；穿透所述垫氧化层，向所述衬底中的所述设定区域注入掺杂元素以形成所述掺杂区域；所述掺杂元素分多次注入所述衬底中的所述设定区域中；且在后的注入工艺采用的注入能量大于在先注入工艺所采用的注入能量；在所述垫氧化层表面与所述设定区域对应的位置形成主体氧化层，具体为：在氢气和氧气的存在下采用湿法氧化，在所述垫氧化层表面与所述设定区域对应的位置形成主体氧化层,所述氢气和氧气的流量比为3:2或4:2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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