[发明专利]闪存存储器工作性能仿真方法和装置无效
| 申请号： | 201410035936.8 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103778970A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郭建平;湛灿辉 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种闪存存储器工作性能仿真方法和装置，其中，该方法包括：根据闪存存储器仿真模型，获取闪存存储器在工作第一时间后的老化后的物理参数，闪存存储器仿真模型包括至少一个闪存存储单元仿真模型，闪存存储单元仿真模型包括MOS管仿真模型、等效FN隧穿电流的电流源模型、等效SILC的电流源模型、等效浮栅电荷变化的电源模型和仿真运算放大器，等效浮栅电荷变化的电源的负极与MOS管仿真模型的控栅极连接，正极与浮栅极连接，仿真运算放大器与MOS管仿真模型的衬底极连接；根据老化后的物理参数和闪存存储器仿真模型，获取老化后的闪存存储器的工作性能。解决了现有技术中的问题，实现了对闪存存储器的仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 工作 性能 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种闪存存储器工作性能仿真方法，其特征在于，包括：根据闪存存储器仿真模型，获取闪存存储器在工作第一时间后的老化后的物理参数，所述闪存存储器仿真模型包括至少一个闪存存储单元仿真模型，所述闪存存储单元仿真模型包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管仿真模型、等效福勒－诺德海姆FN隧穿电流的电流源模型、等效应力引起的泄露电流SILC的电流源模型、等效浮栅电荷变化的电源模型和仿真运算放大器，所述等效浮栅电荷变化的电源的负极与所述MOS管仿真模型的控栅极连接，所述等效浮栅电荷变化的电源模型的正极与所述MOS管仿真模型的浮栅极连接，所述仿真运算放大器与所述MOS管仿真模型的衬底极连接；根据所述老化后的物理参数和所述闪存存储器仿真模型，获取老化后的所述闪存存储器的工作性能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410035936.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
