[发明专利]闪存存储器工作性能仿真方法和装置

说明书

技术领域

本发明实施例涉及芯片技术领域，尤其涉及一种闪存存储器工作性能仿真方法和装置。 

背景技术

随着闪存设计思路的不断进步和生产工艺不断的更新，闪存存储器（Flash Memory）的尺寸一再缩小，在小尺寸的闪存存储器的条件下保证稳定的闪存存储器存储功能和高可靠性显得尤为重要。因此，在对闪存存储器的研发阶段，需要考虑闪存存储器进行老化仿真研究。 

现有技术中，可以通过设置一个闪存存储器仿真模型，闪存存储器仿真模型包括至少一个闪存存储单元仿真模型，图1为现有技术中闪存存储单元仿真模型示意图，如图1所示，现有技术的闪存存储器单元仿真模型包括金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor，简称：MOS管）仿真模型、仿真电源（V_FG）模型、等效应力引起的泄露电流（Stress Induced Leakage Current，简称：SILC）（I_SILC）的电流源模型、等效福勒－诺德海姆(Fowler-Nordheim，简称：FN）隧穿电流（I_FN）的电流源模型，仿真电源模型用于仿真浮栅极（Floating Gate，简称：FG）的电压（V_FG）。MOS管仿真模型包括：控制栅极（Control Gate，简称：CG）的电压（V_CG）、FG的电容（C_FC）、FG的电压（V_FG）、源极（Source，简称：S）的电压（V_S）、漏极（Drain，简称：D）的电压（V_D）、衬底极（Substrate，简称：SUB）的电压（V_B）。该闪存存储单元（Flash Memory cell）仿真模型基于电中性原理，即稳定时，FG极的电荷总量为0。Q（MOS）为MOS管上的电荷、Q（C_FC）为FG上的电荷、Q（W/E）为I_SILC和I_FN的电荷，即Q（MOS）+Q（C_FC）-Q（W/E）=0。由于图1所示的模型引入了I_SILC电流源模型和I_FN电流源模型等，因此能够模拟Flash Memory cell的read（读）、program（写）、erase（擦除）等性能。 

然而，闪存存储器是由多个Flash Memory cell组成的（如成千上万个Flash Memory cell），难以在仿真过程中确定各个Flash Memory cell的FG的电压，从而难以实现闪存存储器的仿真。 

发明内容

本发明实施例提供一种闪存存储器工作性能仿真方法和装置，用于解决现有技术中的问题，实现了对闪存存储器的仿真。 

第一方面，本发明实施例提供一种闪存存储器工作性能仿真方法，包括：根据闪存存储器仿真模型，获取闪存存储器在工作第一时间后的老化后的物理参数，所述闪存存储器仿真模型包括至少一个闪存存储单元仿真模型，所述闪存存储单元仿真模型包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管仿真模型、等效福勒－诺德海姆FN隧穿电流的电流源模型、等效应力引起的泄露电流SILC的电流源模型、等效浮栅电荷变化的电源模型和仿真运算放大器，所述等效浮栅电荷变化的电源的负极与所述MOS管仿真模型的控栅极连接，所述等效浮栅电荷变化的电源模型的正极与所述MOS管仿真模型的浮栅极连接，所述仿真运算放大器与所述MOS管仿真模型的衬底极连接； 

根据所述老化后的物理参数和所述闪存存储器仿真模型，获取老化后的所述闪存存储器的工作性能。 

在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述根据闪存存储器仿真模型，获取所述闪存存储器在工作第一时间后的老化后的物理参数，包括： 

根据预设的闪存存储器仿真模型，获取所述闪存存储器在所述第一时间内的饱和电流退化百分比； 

根据所述饱和电流退化百分比，获取所述闪存存储器在工作所述第一时间后的老化后的物理参数。 

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述根据闪存存储器仿真模型，获取所述闪存存储器在所述第一时间内的饱和电流退化百分比，包括： 

获取所述闪存存储器仿真模型中各闪存存储单元在仿真时间Δt内的漏源极电压和栅源极电压；