[发明专利]利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法有效
| 申请号： | 201410031337.9 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103762158A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 黄永光;朱洪亮;王宝军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法，包括如下步骤：步骤A：在量子阱结构片上的量子阱层上沉积表面牺牲层；步骤B：激光通过具有送气功能的激光头，在表面牺牲层上聚焦，形成反应气的激光等离子体；步骤C：控制该激光等离子体轰击表面牺牲层，将部分表面牺牲层进行改性，形成改性区；步骤D：退火，通过热诱导作用将激光等离子体改性区的化学变性或结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱层的阱／垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。本发明可以很好地进行选区量子阱混和。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光 等离子体 诱导 量子 混和 方法 | ||
【主权项】：
一种利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法，包括如下步骤：步骤A：在量子阱结构片上的量子阱层上沉积表面牺牲层；步骤B：激光通过具有送气功能的激光头，在表面牺牲层上聚焦，形成反应气的激光等离子体；步骤C：控制该激光等离子体轰击表面牺牲层，将部分表面牺牲层进行改性，形成改性区；步骤D：退火，通过热诱导作用将激光等离子体改性区的化学变性或结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱层的阱／垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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