[发明专利]一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头有效
申请号: | 201410031238.0 | 申请日: | 2014-01-22 |
公开(公告)号: | CN103789748A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 向东;夏焕雄;张瀚;杨旺;王伟;牟鹏;刘学平 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 张文宝 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种化学气相沉积设备领域,特别涉及一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头。该喷淋头上设置若干个台阶形的喷淋孔,喷淋孔由上部直径较大的圆孔和下部直径较小的圆孔构成;通过使台阶深度、大孔孔径、小孔孔径中的一个或多个参数从喷淋头板面中心到边缘逐渐增大,进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小,预期气流通量逐渐增大,实现了喷淋头板面阻抗分布的调整,进而实现了对工艺腔室内气流分布的调节。本发明的设计方案廉价、高效,仅通过对喷淋头小孔配置进行连续性设计,即实现了对工艺腔室内气流分布的精细化调节,进而实现了对工艺品质分布精细化调节。 | ||
搜索关键词: | 一种 面向 工艺 气流 分布 调节 cvd 设备 喷淋 | ||
【主权项】:
一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD装置喷淋头,其特征在于,该喷淋头(3)上设置若干个台阶形的喷淋孔(31),喷淋孔(31)由上部直径较大的大圆孔和下部直径较小的小圆孔构成;该喷淋孔(31)有以下几种布置方式:从喷淋头板面(14)的中心到边缘,保持喷淋孔(31)的台阶深度相同,喷淋孔(31)的大圆孔或小圆孔的孔径逐渐增大,进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小,预期气流通量逐渐增大;或者从喷淋头板面(14)的中心到边缘,保持喷淋孔(31)的大圆孔及小圆孔的孔径不变,喷淋孔(31)的台阶深度逐渐增大,进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小,预期气流通量逐渐增大;或者从喷淋头板面(14)的中心到边缘,喷淋孔(31)的大圆孔孔径、小圆孔孔径以及喷淋孔(31)的台阶深度三个参数中的一个保持不变,另两个参数同时逐渐增大,进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小,预期气流通量逐渐增大;或者从喷淋头板面(14)的中心到边缘,喷淋孔(31)的大圆孔孔径、小圆孔孔径以及喷淋孔(31)的台阶深度三个参数同时逐渐增大,,进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小,预期气流通量逐渐增大。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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